STW8NB100

Öncəki məhsul
2N2222 Qiyməti görmək üçün giriş edin
Sonrakı məhsul
1N4001 Qiyməti görmək üçün giriş edin
5 ★
5 ★
1 Reytinq
5 ★
1
4 ★
0
3 ★
0
2 ★
0
1 ★
0
(1 customer review)

Tələs, Sadəcə 2 əd qaldı.
Qısaca:
  • STW8NB100 N-kanal MOSFET
  • Type Designator: STW8NB100
  • Type of Transistor: MOSFET
  • Type of Control Channel: N -Channel
  • Maximum Power Dissipation (Pd): 190 W
Müqayisə et
Kateqoriya:
Açıqlama

Type Designator: STW8NB100

Type of Transistor: MOSFET

Type of Control Channel: N -Channel

Maximum Power Dissipation (Pd): 190 W

Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 1000 V

Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V

Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 5 V

Maximum Drain Current |Id|: 7.3 A

Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C

Total Gate Charge (Qg): 68 nC

Rise Time (tr): 13 nS

Drain-Source Capacitance (Cd): 275 pF

Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 1.45 Ohm

Package: TO-247

Əlavə məlumat
MOSFET

N-kanal

Vəziyyəti

İşlənmiş

Transistor Package

TO-247

Rəylər (1)
5 ★
1 Reytinq
5 ★
1
4 ★
0
3 ★
0
2 ★
0
1 ★
0
  1. 5 ★
    5 ★
    1 Reytinq
    5 ★
    1
    4 ★
    0
    3 ★
    0
    2 ★
    0
    1 ★
    0

    admin

    Super

Rəy əlavə edin

Sizin e-poçt ünvanınız dərc edilməyəcəkdir.

Başa çək
Close
Close
Shop
0 Wishlist
Close

Səbətim

Səbət boşdur!

Alış-verişə davam edin